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设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。现设一致性带来的导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us。(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。对于如何设计高频增强电路与低通滤波器电路，我们仍然以共发射极发大电路为例。首先，说一下低通滤波器电路我们考虑一下在共发射极放大电路的集电极并联电容的作用。低通滤波电路如上图所示，此电路时截止频率为1KHz的低通滤波电路。改电路具有将1KHz频率以上的高频截止功能。这是因为集电极电阻具有频率特性，所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高，因为电容的影响，导致电容与电阻并联的阻抗也就越小，所以电路的增益Rc/Re也就越小。断路器为什么要降容使用？首先，当断路器的运行环境温度大于规定值时需要降容使用。一般规定为40℃（电动机保护时温度超过65度）。在什么情况下需要降容使用？配电柜在室外，夏季温度较高；环境温度超过40℃。在室内，但室内通风散热条件较差，室内温度虽然没有超过40℃,但配电柜内温度已经超出40℃。即便配电箱在空调房间，但配电柜内断路器较多，散热较差，也应考虑降容使用。高海拔地区，因为高海拔地区空气稀薄，空气密度降低使散热的对流作用减弱，温升就会升高。有时需要多次调用同一个功能块，每次调用都需要生成一个背景数据块，但是这个背景数据块中的变量又很少，这样在项目中就出现了大量的背景数据块碎片，用户程序中使用多重背景数据块就可以减少背景数据块的数量。举例说明：在SIMATIC管理器中执行插入-S7块-功能块，功能块名称为FB10，在多重背景功能打勾。如下图：在FB10的变量表中声明了名为MOTOR1和MOTOR2的静态变量（STAT），其数据类型为FB2，如下图；这里要注意FB2也要为多重背景，变量声明变量表中的MOTOR1和MOTOR2中的8个变量与FB2中的8个局部变量相同。大部分小公司要求你全能，也就是说一个项目你要从芯片的选型，到外围电路的搭建， I/O口的定义，程序的编译调试， PCB板的，焊接，调试等等，你都要掌握。当然你的工资也是客观的。我的意思是学习单片机是要学习电路。接下来学编程语言，单片机的编程语言是结构化的C语言。C语言的学习也不是那么容易的，至少指针就够你迷糊一段时间的。学习C你可以先系统的学习一段时间，一些练习，不用着急去将它应用到单片机上。
