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用500V兆欧表测量电动机绕组与外壳的绝缘电阻，不应小于0.5兆欧;用万用表测量绕组各引线，没有断线;上述都符合要求，电动机就是好的。检测电容器的好坏用指针万用表方便些(也有带电容档的数字表，可直接测量)。将万用表拨到1K或10K电阻档，测电容器的2个引线，表针快速向右偏转后慢慢回到左侧电容器是好的;始终偏向右侧说明电容器被击穿了;指针不动则电容器内部断线或没有容量了。用这种方法只能判断电容器的好坏.直流电机的好坏先看看有无断线，测测电阻是否正常。三极管有三种工作状态，分别是放大、饱和、截止。使用 多的是工作在放大状态。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体，中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区，从三极管的三个区各引出一个电极，相应的称为发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见，发射区和集电区是不对称的。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。在一个就是程序的维护性和扩展性，到注释准确、程序结构优化，能够使维修人员迅速找到修改的地方，留有扩展的空间，对某些动作的修改、升级能够在整体构架中完成而不破坏。在编程前对软元件的选择要准确，哪些是掉电保存的、掉电不保存的、对输入有区分，有高速计数的普通输入尽量不要占用高速输入端子、同理高速输出端子也一样。对定时器的选择如0.01ms的、0.1ms、1ms的、累计型的等选择，计数器的选择16位的、32位的、保持用的、高速计数用的都得分清楚使用，数据寄存器的选择也有132位、掉电保持的之分。为什么要这样，我们来继续说。这么当然有它的作用，前面我们也提到了在TN-S系统中，零线N和地线PE是需要严格分的。在供电系统中非常重要的一点就是安全，怎么来触电，对人进行触电保护。（版权所有）大家都知道，对设备进行接地嘛。是的没错，接地。TN-S系统中是怎么保护接地的呢?在现场干过活的都知道，电机上的接地线会连在电机柜中的地线PE上。这样的目的就是漏电保护，一旦电机漏电，因为地线PE是和零线N相通的，直接造成短路，跳闸，丝熔断，这样就切断了电源。
